DI 133 Bouchier / 1 / Repertoires d'offres / Bourse de Technologies - Bourse de technologies

Procédé pour la fabrication localisée de Germanium
La technologie proposée est une solution alternative qui permet de disposer de germanium monocristallin par épitaxie latérale sur silicium sans formation de défauts étendus.

part :
License et collaboration de recherche

Ref : DI 133 Bouchier

Contacts :

ZEHOU Ouissem

Université Paris Sud

Tel : 33 (0)1 69 15 43 46 Fax :

Yam Vy

IEF Université Paris Sud

Catégories contenant cette offre :

Electronique, informatique et télécommunications

Semi-conducteurs

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