| Procédé de réalisation de motifs complexes de cristaux photoniques en semiconducteur de groupe III
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| Le nouveau procédé est une alternative au procédé de gravure pour les matériaux type nitrure semi-
conducteur de groupe III (AIN, GaN).
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| Description technique : |
Les procédés usuels de gravure ne permettent pas de graver verticalement avec
un bon facteur d’aspect (profondeur/largeur) les matériaux de type nitrure semi-
conducteur de groupe III (AIN, GaN). Le nouveau procédé est une alternative au procédé de gravure et utilise un substrat préalablement gravé sur lequel on dépose par épitaxie conforme une couche de nitrures verticale. La géométrie
bidimensionnelle du substrat est ainsi transférée à la couche de nitrures. Ceci aide à fabriquer des cristaux photoniques possédant des motifs de différentes largeurs et de différentes formes. Cette méthode permet également à la fabrication d’une structure membranaire utile pour les applications en photonique et optoélectronique. |
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| Applications industrielles : |
• LEDs
• Lasers Bleus, UV
• Structures membranaires
• MicroEMS ou NanoEMS |
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| Principaux avantages : |
La technologie permet :
• La fabrication de motifs verticaux de fort facteur d’aspect
• Les motifs complexes, de différentes largeurs (sans limite évidente sur la
réduction de la largeur des trous) et de différentes formes
• Les structures membranaires |
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| Propriété intellectuelle : |
Demande de brevet française
et internationale
Copropriété Université Paris Sud-
CNRS |
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| Type de partenariat : |
| License, contrat de collaboration |
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