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Procédé pour la fabrication localisée de Germanium
La technologie proposée est une solution alternative qui permet de disposer de germanium monocristallin par épitaxie latérale sur silicium sans formation de défauts étendus.

Description technique :
Le germanium est considéré comme un matériau d’avenir pour les générations futures de transistors de type MOSFET. Il possède la meilleure mobilité de trous parmi tous les semiconducteurs IV-IV et III-V et représente une alternative très intéressante pour le p-MOSFET. La technologie proposée est une solution alternative qui permet de disposer de germanium monocristallin par épitaxie latérale sur silicium sans formation de défauts étendus. L’interface entre le germanium et l’oxyde est libre de dislocations.

Applications industrielles :
• MOSFET Complètement déplété • Composants photoniques • Cellule photovoltaique

Principaux avantages :
La technologie permet : • d’obtenir une structure Ge/SiO2 libre de défauts étendus et bien adaptée à l’architecture du transistor complétement déserté (FD MOSFET) • de réduire les effets de canal court • d’améliorer les la mobilité des porteurs • de réduire les coûts de production en partant d’un substrat Silicium plutôt que SOI

Propriété intellectuelle :
Demande de brevet français et international Copropriété Université Paris Sud- CNRS

Type de partenariat :
License et collaboration de recherche